用于敏感襯底的PEALD：

真遠程等離子體源能夠在低溫<100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊。

用于工藝研發和改善的實時監測：

ALD實時監視儀RTM的原位診斷實現了單一ALD循環的超高分辨率。優點是確認ALD范圍，減少處理時間和總生產成本。采用橢偏光譜、QCM和QMS進行原位診斷，也是我們原子層沉積設備的優點。

簡易的腔體清洗：

定期反應腔體清洗對于穩定和可重復的原子層沉積工藝是的。借助于用于清洗原子層沉積系統的升降裝置，可以容易地打開反應腔體。

集成手套箱：

SENTECH原子層沉積設備與各種供應商的手套箱兼容。

工業半導體微納加工二維材料實驗室設備多腔集成：

原子層沉積設備可作為SENTECH多腔系統的一個模塊。我們的原子層沉積設備可以與SENTECH PECVD和蝕刻設備結合用于工業應用。可選的多腔系統也具備片盒到片盒裝片的特點。

SENTECH二維材料刻蝕沉積實現了熱ALD和等離子體增強ALD操作。ALD設備可以配置為用于氧化物、氮化物和金屬沉積。三維結構具有出色的均勻性和保行性。利用ALD、PECVD和ICPECVD，SENTECH提供等離子體沉積技術，用于從納米尺度沉積到數微米的薄膜沉積。

SENTECH ALD設備實現了熱ALD和等離子體增強ALD膜交替沉積多層結構。熱ALD和等離子體增強ALD可在同一個反應腔體中用快門來切換。

SENTECH提供了前沿的快速原位監測技術，實時監測和廣泛范圍的光譜橢偏儀可逐層監測薄膜生長。